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リガクが令和8年度地方発明表彰で大阪府知事賞など受賞

リガク・ホールディングスのグループ会社である株式会社リガクは、公益社団法人発明協会が主催する「令和8年度地方発明表彰」において、半導体向けX線分析・検査技術に関する2件の発明で賞を受けました。受賞したのは「大阪府知事賞(特別賞)」と「発明奨励賞」で、特別賞の受賞は4年連続となります。同社はこの受賞を励みに、半導体をはじめとする産業の新たな分析・計測課題に応える技術開発を進めていく方針です。

4年連続の特別賞となった蛍光X線分析技術

近畿地方発明表彰の「大阪府知事賞」を受賞したのは、「蛍光X線分析装置および方法」(特許第4914514号)です。発明者は小林 寛で、対象となる製品は「WDA3650」および「WaferX 310」です。

この技術は、従来の方法では高精度な分析が困難だったGaN(窒化ガリウム)などの新たな半導体基板に対応する蛍光X線分析技術です。こうした基板では、結晶構造に由来する回折X線が分析対象の元素から発生する蛍光X線を阻害し、分析精度が低下するという課題を抱えていました。従来は回折X線が180度対称に現れるシリコン基板に対して180度異なる2つの回避角度を利用していましたが、今回の発明では基板を360度回転させながら回折X線を計測し、分析に適した角度を少なくとも3つ選択できるようにしました。これにより、基板の平行移動範囲を抑えつつ回折X線の影響を避け、薄膜の膜厚や成分濃度を高精度に分析することが可能になり、高性能化・高機能化が進む半導体の品質管理に貢献しています。

先端半導体の製造工程に対応するインラインX線検査技術

関東地方発明表彰の「発明奨励賞」には、「X線検査装置、X線薄膜検査方法およびロッキングカーブ測定方法」(特許第6864888号)が選ばれました。関連する製品は「XTRAIA XD-3300」です。

半導体の高性能化に伴い、Si/SiGe(シリコンゲルマニウム)などの超格子薄膜を用いた3次元素子の採用が進む一方、薄膜の組成・膜厚や結晶の状態が性能に影響するため、製造工程で微小な領域まで精密に評価することが求められていました。しかし、従来のX線計測では高い測定精度と微小領域の測定の両立が困難でした。今回の発明では、高精度集光結晶と多層膜ミラーを組み合わせた独自のX線光学系を開発し、高い角度分解能を保ちながらX線を50マイクロメートル級の微小領域に集光することを可能にしました。これにより、薄膜の組成や結晶性、結晶の歪みを製造工程で高速かつ高精度に評価できるようになり、先端半導体の品質安定化や歩留まり向上に寄与しています。

同発明の発明者は、尾形 潔、表 和彦、吉原 正、伊藤 義泰、本野 寛、髙橋 秀明、杵渕 隆男、樋口 明房、梅垣 志朗、淺野 繁松、山口 僚太郎、洞田 克隆、神戸 亮、ジャン リーサイ、ヴァーマン ボリスの各氏です。

リガクグループは、X線分析をコアに熱分析なども含む先端的な分析技術を手掛ける企業グループです。

  • 創業:1951年
  • 展開地域:136の国と地域
  • 海外売上比率:約70%
  • 従業員数:世界で2,000名超
  • 主な応用分野:半導体、電子材料、電池、環境・エネルギー、ライフサイエンス
  • 公式ウェブサイト:rigaku-holdings.com

本記事は株式会社リガクの発表をもとに作成しました。

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