キヤノンは、メモリーやロジック向けの半導体露光装置の新製品として、KrFスキャナー「FPA-6400ES6a」を2026年12月上旬に発売します。生成AIの普及に伴う先端半導体の需要拡大や高集積化を背景に開発された装置です。1時間あたり400枚のウエハー露光数と、業界最高水準をうたう重ね合わせ精度を兼ね備えています。

高い生産性と業界最高水準の重ね合わせ精度

新製品は、新たに開発した超高加速度ステージによって駆動時間を短縮しました。これにより、300mm基板、96ショットの条件において1時間あたり400枚のウエハー露光が可能となり、従来機種「FPA-6300ES6a」（2012年4月発売）のGrade10オプション適用時と比較してスループットを大幅に向上させています。

あわせて、新開発の振動抑制技術などを採用することで、300mm基板対応のKrFスキャナーにおいて業界最高水準（2026年11月9日現在、キヤノン調べ）となる4.0nmの重ね合わせ精度を実現しました。先端半導体の量産における生産性と歩留まりの向上に寄与するとしています。なお、KrFはフッ化クリプトンを指し、露光波長は248nmです。

多様な製造プロセスとウエハーの反りへの対応

位置合わせシステムおよびウエハーの変形に対する機能も強化されています。キヤノン独自の画像アライメント（位置合わせ）システムには、オプションとして新光源「Hi-ALS（High Alignment Light Source）」を追加しました。アライメント計測波長を任意に選択できるため、多様な半導体製造プロセスにおいて高精度な位置合わせが可能となります。

また、従来機種「FPA-6300ES6a」のGrade10オプション適用時との比較において、反りの大きなウエハーに対する吸着能力を向上させました。対応可能な反り量を700μmに拡大したことで、三次元デバイスの積層構造やウエハー貼り合わせ工程で生じるウエハーの反りへの対応力を高めています。

回生電力の活用による消費電力量の削減

環境負荷の低減に向けた技術も導入されました。ウエハーステージの減速時に発生する回生電力を必要なタイミングで再利用できる技術や、超高加速度ステージを支える高効率な電源を開発しています。これにより、従来機種「FPA-6300ES6a」のGrade10オプション適用時と比べてウエハー1枚の露光に必要な消費電力量を削減し、環境へ配慮した設計となっています。

本記事はキヤノンの発表をもとに作成しました。

Dellows News編集部

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