A.T. カーニー株式会社は、論考『深刻化するストレージ不足』（英題：The great storage squeeze）を公開しました。AI向けストレージ需要の拡大に加え、半導体メーカーの設備投資がデータ保存用のNANDフラッシュメモリからAI向けの高速メモリであるHBM・DRAMへシフトしていることが、NANDの供給不足を長期化させる要因になると指摘しています。Kearney PERLabの需給モデルを基に影響を整理し、製品構成や調達、ストレージ設計を一体で見直す対応を提言しています。

企業向け製品などは2030年まで需給が逼迫する見通し

NANDの設備投資は、2026年に約5％増の約220億ドルにとどまる一方、DRAMは約14％増の約610億ドルへ拡大する見通しです。論考では、DRAMとNANDの双方を供給する主要企業が、利益率の高いHBMやDRAMへ投資を振り向けていると説明されています。

Kearney PERLabの標準シナリオによると、企業向けQLC・TLCと先端の積層世代は2030年まで供給が逼迫します。2026～2029年のウエハー需要は年率8～12％増加する一方、供給の増加は年率2～4％にとどまると見込んでいます。また、主流のクライアント向けTLCでも2028年の需給緩和は部分的にとどまり、消費者向けの供給には引き続きしわ寄せが及ぶとしています。

中国の増産動向やHBF普及が需給に与える影響

中国の増産は、主流・従来世代のTLCの供給を補う可能性があります。増産分が世界の買い手に届けば主流製品の需給は早ければ2028年に緩和し得るものの、増産の速度と中国以外の買い手が調達できるかどうかは供給面で最大の不確実性とされています。

一方、NANDを用いた高帯域フラッシュ（HBF）が普及した場合は、AI向けの高価格帯需要が生じ、ウエハーと資本がその領域へ振り向けられる可能性があります。さらに、企業向けニアラインHDDの不足からQLC SSDへ移っている需要が戻るかどうかも、HDD供給の回復に左右される状況です。

供給制約の影響は一様ではなく、高い価格を支払い早期に購入を確約するAIインフラ向けに供給が優先される一方、消費者・小売向けフラッシュ製品には値上げや欠品が先に表れます。産業制御や自動車向けでは高信頼性のTLC・pSLC製品の納期が20週間を超えており、認定に時間を要するため短期間で別の世代へ切り替えることも困難であると指摘しています。

論考では、フラッシュの供給を優先的に確保する製品の選定やSKUの簡素化、複数年契約による調達、階層型ストレージへの再設計、データ削減、セル種別の変更に対応できる設計などを提案しています。再利用においては書き込み耐久性と残存寿命の把握が重要とし、政策面では重要分野のストレージ調達リスクの監視と信頼できる供給を確保する枠組みを求めています。

論考の概要

• 論考名：『深刻化するストレージ不足』（英題：The great storage squeeze）
• URL：https://www.jp.kearney.com/issue-papers-perspectives/the-great-storage-squeeze
• 監修者：西川 覚也 シニアパートナー、深川 寛也 プリンシパル

A.T. カーニー株式会社の概要

• 社名：A.T. カーニー株式会社
• 所在地：東京都港区
• 日本代表：針ヶ谷 武文
• URL：https://www.jp.kearney.com/

本記事はA.T. カーニー株式会社の発表をもとに作成されています。

Dellows News編集部

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