米オンセミ（Nasdaq：ON）は、トレンチ構造を採用した第4世代シリコンカーバイドプラットフォームEliteSiC M4を発表しました。前世代比で最大30%の電力密度向上と35%の損失低減を達成しており、導通性能およびスイッチング性能を進化させています。これにより、AIデータセンター、電気自動車、エネルギーインフラ向けに、より高効率で高電力密度のシステムを可能にするとしています。

電源システムの制約克服に向けた特徴

AI、電動化、エネルギーインフラの急速な成長に伴い、サイズやエネルギー損失、冷却要件を比例して増大させずに電力増強を実現することが共通の技術的課題となっています。EliteSiC M4は既存のシステム制約内で扱える電力と効率を拡大し、AIインフラや電気自動車、産業システムの拡張に向けた柔軟性を提供します。同社パワー・ソリューションズ・グループでグループ・プレジデントを務めるアチュット・シャー（Achyut Shah）氏は、世界中の車両における160億マイル以上のSiC運用実績を背景に、電力、効率、サイズ、コストの最適なバランスを再定義するための新たな選択肢を提供する旨を述べています。

各主要市場における優位性

EliteSiC M4の技術進化は、主要市場のシステム全体において次の優位性を提供します。

• AIデータセンター：高密度な電力変換により、1メガワット当たりからより多くの演算能力を引き出し、演算ユニット当たりに必要な周辺インフラを削減しながら設備容量を最大限に高めることを可能にします。
• 電気自動車：より小型かつ高効率なトラクションインバーターにより、自動車メーカーによる航続距離の延伸を可能にします。
• エネルギーインフラ：高効率かつ高密度な電力変換技術により、太陽光発電やエネルギー貯蔵システム、その他の高電圧システムにおける電力変換損失の低減に寄与します。

シェフラーAGでeモータ・コントロールズBUのバイス・プレジデントを務めるハラルト・ハーテル（Harald Hartel）氏は、効率と電力密度の向上によって航続距離、熱性能、パッケージングに合わせてトラクションインバーターを最適化するための柔軟性が大幅に拡大するとコメントしています。

前世代からのアーキテクチャ改善点

EliteSiC M4は、信頼性を損なうことなく導通性能とスイッチング性能を向上させており、前世代からの主な改善点は以下の通りです。

• 比オン抵抗（RSP）の改善：比オン抵抗を20%～50%低減しながら、より高速なスイッチングを可能にします。
• スイッチング損失の低減：スイッチング性能指数をハードスイッチングで67%、ソフトスイッチングで50%向上させ、コンパクトな電源システム設計をサポートします。
• 高いパッケージ選択の自由度：トップサイドクーリング表面実装パッケージやハイパワーモジュールなど、既存の多様なパッケージに適応できるように設計されています。
• 過酷な用途に耐えうる堅牢性：185°C以上の動作保証温度に対応することで、高電圧車載機器や宇宙航空分野での稼働にも適応します。

製品の供給状況と企業概要

車載トラクション用途のEliteSiC M4 750 Vベアダイ（車載トラクションインバーター向け）は現在供給中です。最大1200Vまでの電圧範囲をカバーする追加製品は、2027年より順次供給する予定となっています。

• 会社名：オンセミ（米国アリゾナ州スコッツデール、Nasdaq：ON）
• URL：www.onsemi.jp

本記事はオンセミの発表をもとに作成しました。

Dellows News編集部

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