STマイクロエレクトロニクスは、650Vのエンハンスメント型GaNトランジスタとドライバ回路を集積した新製品「MasterGaN7」シリーズを発表し、MasterGaNファミリのラインアップを拡充しました。同製品は、電源アダプタや充電器、産業用照明機器、太陽光発電システム用マイクロインバータなどのアプリケーションにおいて、エネルギー効率と電力密度の向上に貢献します。製品は現在量産中で、開発向けの評価ボードも提供されています。

高効率化と省電力化を図る内部構成

MasterGaN7は、ハーフブリッジ構成で接続された2つの650V GaNトランジスタ（最大定格電流6A）と、高耐圧・高周波のゲートドライバをQFNパッケージに集積しています。ピン配置と実装面積は、他のMasterGaN製品と共通です。最新世代のGaN技術によって高速動作と高効率化を実現するほか、新たに採用した低ドロップアウト（LDO）レギュレータによりゲート駆動電圧を安定化し、最適なスイッチング性能を実現します。また、超高速ウェイクアップに対応したピン制御のシャットダウン･モードを備えており、無負荷時の消費電力を最小化することができます。

最大2MHzの動作性能と多様な回路への対応

本製品は、45nsの伝播遅延と超高速のウェイクアップ時間、短い最小オン時間により、最大2MHzのスイッチング周波数に対応します。これにより、小型の外付け磁気部品や受動部品のみで構成できるため、実装面積と部材コストの削減、電力密度の向上に寄与します。ハイサイド･ドライバへの電源供給用として、ブートストラップ･ダイオードも内蔵しています。回路設計においては、アクティブ･クランプ･フライバック･コンバータ、非対称型ハーフブリッジ･コンバータ、反転型降圧コンバータ、LLC共振コンバータ、力率改善（PFC）コンバータ、DC-ACインバータなど、多様な構成に対応します。さらに、貫通電流を防止するインターロックや低電圧ロックアウト（UVLO）、サーマル･シャットダウンなどの保護機能も集積しています。

MasterGaN7は、-40℃ ~ +125℃の温度範囲で動作します。

• パッケージ: QFNパッケージ（9 × 9 mm）
• 価格: 1,000個購入時の単価は3.83ドルから
• 評価ボード: EVLMG7（STのeSToreで入手可能）

STマイクロエレクトロニクスの概要

STマイクロエレクトロニクスは、約49,000名の従業員を擁する総合半導体メーカーです。すべての直接・間接排出（スコープ1および2）、ならびに製品輸送や従業員の出張･通勤による排出（スコープ3の注力分野）におけるカーボンニュートラル達成に向けた取り組みを進めており、2027年末までに再生可能エネルギーの使用率を100％にする計画を掲げています。

• 問い合わせ先: STマイクロエレクトロニクス（株） アナログ･MEMS･センサ製品グループ（TEL : 03-5783-8250）
• 所在地: 〒108-6017 東京都港区港南2-15-1 品川インターシティA棟
• 公式サイト: http://www.st.com

本記事はSTマイクロエレクトロニクスの発表をもとに作成。

Dellows News編集部

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