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キオクシア、米アプライドのEPICセンターに参画し次世代AIメモリ開発で協業

アプライド マテリアルズは9月29日(現地時間)、キオクシア株式会社が次世代メモリ技術の開発を推進するイノベーションパートナーとして、米国シリコンバレーに設立されるEPICセンターに参画することを発表しました。両社はEPICセンターで協業し、先進メモリセルや新たなメモリ構造の創出、マルチチップ積層アーキテクチャ、AI時代に向けたメモリ密度と性能向上のためのマテリアル エンジニアリングの研究開発に共同で取り組みます。

次世代メモリ技術の共同研究開発

AIインフラには、高いメモリ密度や広い帯域幅、優れた電力効率を実現するメモリソリューションが求められています。アプライド マテリアルズの社長兼 CEOゲイリー・E・ディッカーソンは、キオクシアのメモリ技術における知見と自社のマテリアル エンジニアリングを結集し、次世代メモリの新たな可能性を切り拓くパートナーシップを築くとしています。

キオクシア株式会社の代表取締役社長である太田裕雄氏は、アプライド マテリアルズとの協業がメモリ革新を推進する両社の共通のコミットメントを反映するものであるとし、EPICセンターで先進的なブレークスルーを実現するために協力できることへの期待を示しました。

焦点となる4つの主要研究分野

EPICセンターにおける協業を通じて、両社は次世代メモリ技術の革新における最重要課題に焦点を当てた研究開発を共同で推進します。主な研究開発分野は以下の通りです。

  • AIアプリケーション向けの、より高性能・高密度なメモリアーキテクチャの実現を目指した先進メモリセルおよび新規メモリ構造の開発
  • 限られたフォームファクターの中でメモリ密度と性能の向上を可能にする次世代メモリ向けマルチチップ積層技術
  • 複雑なマルチダイメモリソリューションにおける集積性能およびインターコネクト性能を向上させる積層型メモリ向け先端パッケージング技術
  • 次世代メモリ構造の実現と量産性の両立を支えるマテリアル エンジニアリングにおけるイノベーション

アプライド マテリアルズのセミコンダクタ プロダクトグループ プレジデント、プラブー・ラジャおよびキオクシアの先端メモリ開発センター長である梶本実利氏も、材料や装置、プロセス技術にわたるブレークスルーと新規技術開発への取り組みを通じて、AIコンピューティングに求められる集積度と性能の実用化を加速させる意向を示しています。

過去最大規模の投資となるEPICセンター

米国カリフォルニア州サンタクララに本社を置くアプライド マテリアルズがシリコンバレーに設立する総額50億ドル規模のEPIC(Equipment and Process Innovation and Commercialization)センターは、米国における先端半導体製造装置の研究開発への過去最大規模の投資です(投資額は顧客プロジェクトの開始に伴い段階的に拡大し、総額約50億ドル規模となる見込みです)。

同センターは本年中の稼働開始を予定しており、初期研究段階から本格量産までの技術商用化に要する期間を大幅に短縮することを目的として設計されています。半導体メーカーは、研究開発ポートフォリオへの早期アクセスや迅速な学習サイクル、セキュアな共同開発環境のもとでの量産導入の加速といったメリットを得られるとしています。

本記事はアプライド マテリアルズの発表をもとに作成されています。詳細情報は同社ウェブサイト(www.appliedmaterials.com)で確認できます。

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