新電元工業株式会社は、高効率電源の実現に貢献する650V耐圧SiCショットキーバリアダイオードを発表しました。発表内では発売を開始したとする一方、発売時期として2026年9月を提示しています。同製品はSiCとSBD構造を組み合わせることで、従来のFRDに比べて順方向電圧（VF）やリカバリ特性の大幅な改善を図り、サーバー電源や産業機器向け電源の高効率化、省エネ化、小型化に貢献するとしています。

開発の背景と課題

DXやAIの普及に伴うデータセンター需要の拡大や、省エネ性能向上への要求を背景に、サーバー電源や産業機器向け電源ではさらなる高効率化が求められています。

一方で、高周波動作による電力変換の効率向上が進む中、従来のファストリカバリダイオード(FRD)では導通損失やスイッチング損失が課題となっていました。

順方向電圧とリカバリ特性を大幅に改善

新電元工業株式会社は課題に対応するため、SiCとSBD構造を組み合わせた製品を開発しました。順方向電圧(VF)を従来のFRD比で約50％低減し、導通損失を抑えて電源システムの高効率化に貢献するとしています。

さらに、リカバリ電荷量(Qrr)を従来FRD比で85％改善しました。これにより高周波動作時のスイッチング損失を低減し、高効率な電力変換を実現するとしています。

設計の最適化により、スイッチングノイズに影響するIRPを他社SiCショットキーバリアダイオードよりも改善しました。高周波電源回路のノイズを抑制し、周辺回路の小型化に貢献するとしています。

同製品の主な用途例は以下の通りです。

• サーバー電源
• 産業機器用電源
• 民生家電全般

このほか、高周波化による電源の高効率化や電源回路の小型化・軽量化に対応し、民生機器やPFC回路への展開も可能としています。

新電元工業株式会社について

新電元工業株式会社は1949年の設立以来、パワー半導体やスイッチング電源などパワーエレクトロニクスを主な事業領域としています。半導体技術、回路技術、実装技術を併せ持つメーカーとしてコア技術を融合し、発展・応用させていくことで持続可能な社会の実現の一翼を担う製品を提供する方針です。

• 設立：1949年
• ウェブサイト：https://www.shindengen.co.jp/
• お問い合わせ先：新電元工業株式会社 営業本部マーケティング部 News事務局

本記事は新電元工業株式会社の発表をもとに作成。