GF、米NY州に最大210億ドル規模の半導体工場を新設へ　日米戦略投資で初案件

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GlobalFoundries（Nasdaq: GFS、以下「GF」）は2026年10月14日（日本時間）、日米政府の戦略的投資イニシアチブの枠組みの下、米国ニューヨーク州マルタ拠点に300mm半導体製造工場（ファブ）が段階的に新設されることになり、その技術提供者および運営者として選ばれたと発表しました。同イニシアチブに基づき実施される初の半導体分野への投資であり、自動車、産業機器、通信インフラ分野向けの基盤的半導体について、日米が協力して信頼性の高い供給体制の構築を目指します。事業総額は最大210億ドル規模に達する見込みです。

最大210億ドル規模の投資で300mm新ファブを建設

プロジェクトでは、まず初期投資として約100億ドルが投じられ、新たな300mmファブが建設されます。建設用地はマルタ拠点の既存インフラを活用できる許認可取得済みの用地で、工期短縮が見込まれており、2026年内の着工、2029年の稼働開始を予定しています。

1棟目のファブは完全稼働時に年間約90万枚の300mmウェーハ製造能力を米国内にもたらす計画です。さらに約100億ドルの追加投資が実施された場合には2棟目のファブが建設される予定で、第2フェーズが実現した際には年間最大90万枚の製造能力が追加されます。なお、本件においてPJT PartnersがGFのアドバイザーを務めています。

日米の投資により建設されるファブに対し、GFは独自の技術基盤と製造ノウハウを提供します。本プロジェクトは、製造能力の特定地域への集中に伴う地政学的リスクや自然災害リスクを低減するための地理的分散を促し、日米双方の半導体サプライチェーン全体の強靭性向上に資するものとされています。

米国内に生産・組立拠点を持つ日本の自動車メーカーや電機メーカーなどにとっても、米国内で調達可能な安定した半導体供給網を通じて現地サプライチェーンを強化できるほか、同盟国内で実績に基づいた信頼できる供給源を効率良く確保できる利点があります。

東京エレクトロンやルネサスなど日本企業との連携を深化

プロジェクトの実現に向けては、日本企業とのパートナーシップも重視されています。GFは、長年にわたりグローバル拠点で協業してきた東京エレクトロン（TEL）の装置・技術力を生かし、米国内新ファブの立ち上げを進める方針です。また、車載および産業機器向け半導体分野で協力関係にあるルネサス エレクトロニクスとの協業も深化させる考えを示しています。

関係各社の代表者は次のように述べています。

• GlobalFoundries 最高経営責任者（CEO） ティム・ブリーン氏：「日米の戦略的投資イニシアチブの枠組のもとでの初めての半導体プロジェクトとして選ばれたことを誇りに思い、日米両政府に感謝致します」
• ルネサス エレクトロニクス株式会社 取締役 代表執行役社長 兼 CEO 柴田英利氏：「ルネサスは、GFがニューヨークに新設する、強固な日米パートナーシップに支えられた信頼性の高い米国内の生産能力を、自社の生産フットプリントの延長として位置づけています」
• 東京エレクトロン株式会社 代表取締役社長・CEO 河合利樹氏：「東京エレクトロンは長年にわたり、GFの世界各地の製造拠点をサポートしてまいりました。このたび、米国における先端半導体の生産能力拡大に貢献できることを大変嬉しく思います」

米国政府およびニューヨーク州による支援

本事業は、日米政府の戦略的投資イニシアチブを基盤としつつ、ニューヨーク州のGreen CHIPSプログラムをはじめとする同州のキャピタル地域半導体エコシステム強化策からも支援を受けています。米国内で最終消費される半導体には連邦政府による投資奨励策や関税面での優遇措置が対象となっており、米国商務省、ニューヨーク州、連邦議会関係者からも支持が表明されています。

本記事はGlobalFoundriesの発表をもとに作成されています。

Dellows News編集部

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