株式会社レゾナックは、次世代エレクトロニクス材料である炭化ケイ素（SiC）において、直径300mm（12インチ）のSiC単結晶の成長および基板加工に成功しました。同社調べ（2026年8月時点での公表情報などを調査）によると、300mm（12インチ）は現在開発が進むSiC基板として世界最大級の口径となります。この成果は、SiC基板およびSiCエピウェハーの大口径化と高品質化に向けた技術的マイルストーンとなります。

SiCはパワー半導体において、従来のシリコンウェハーを用いたパワー半導体と比較して電力変換時の損失や発熱が少なく、省エネルギー化に寄与する材料として注目されています。電気自動車（EV）や再生可能エネルギー分野を中心に需要が拡大しているほか、データセンター向け電源など高効率化が求められる領域でも活用が広がりつつあります。

こうした市場拡大を背景に、同社は現在、市場の主流である150mm（6インチ）のSiCエピウェハーを主に供給しており、200mm（8インチ）SiCエピウェハーも出荷を開始しています。

先端分野への応用展開と技術開発の背景

単結晶SiC材料は高い熱伝導率を有することから、AIサーバーやHPC（High Performance Computing）向け半導体の放熱基板や先端パッケージ基板への応用も注目されています。さらに屈折率が高い特性などから、ARスマートグラスなどへの適用も期待されています。

今回の成果は、長年培ってきたSiC単結晶成長技術および基板加工技術を基盤とし、グリーンイノベーション基金事業の一部成果を活用した取り組みの一環です。同基金は2050年カーボンニュートラルの実現に向けて国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）に造成されたもので、同社は次世代デジタルインフラの構築プロジェクトにおける研究開発項目の一つである「次世代パワー半導体に用いるウェハ技術開発」において、「次世代グリーンパワー半導体に用いるSiCウェハ技術開発」として研究開発を実施しています。

株式会社レゾナック・ホールディングス 概要

• 設立・統合：2023年1月に昭和電工と旧日立化成が統合
• 事業内容：半導体・電子材料、モビリティ、イノベーション材料、ケミカル等を展開
• 売上高：2025年度は約1兆3千億円（海外売上高比率57％）
• 拠点数：20以上の国や地域に製造・販売拠点を展開（2026年1月時点）
• 公式サイト：https://www.resonac.com/jp/

本記事は株式会社レゾナックの発表をもとに作成しました。

Dellows News編集部

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