株式会社近代科学社は、近代科学社Digitalレーベルより、単行本版『はじめてのパワー半導体デバイス』（著者：岩室 憲幸）の発売を2026年10月31日に開始しました。

モビリティの電動化やフィジカルAI、AIデータセンターの増設といった技術環境の変化を背景に、電力供給の高効率化や省エネルギー化を担うパワー半導体デバイスの重要性が高まっています。本書は、大学・高等専門学校の学生や企業の若手技術者に向けた教科書となることを意図して構成されています。

本書の構成と特徴

本書は大学の講義資料を基礎としてまとめられています。pn接合やMOS構造といった基本原理をはじめ、MOSFETやIGBTの動作原理、さらにSiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体材料の物性特性プロセス技術まで詳細に解説しています。最前線の技術課題に直結する基礎知識を体系的に修得し、次世代の学術基盤を構築するための一冊として位置付けられています。

全9章で構成されており、各章のテーマは以下の通りです。

• 第1章 パワー半導体はEV・太陽光・データセンタでどう使われるのか
• 第2章 パワー半導体デバイスの基本——pn接合、金属半導体接合、そしてMOS 構造一
• 第3章 パワー半導体デバイスの種類と特徴
• 第4章 シリコン MOSFET
• 第5章 シリコン IGBT
• 第6章 シリコン MOSFET ならびに IGBTの作製プロセス
• 第7章 ワイドバンドギャップ半導体が優れる理由
• 第8章 ワイドバンドギャップ パワー半導体デバイス①―SiC パワー半導体デバイスー
• 第9章 ワイドバンドギャップパワー半導体デバイス ②―GaNパワー半導体デバイスー

著者について

著者の岩室 憲幸（いわむろ のりゆき）氏は、1962年東京都板橋区生まれ。1984年に早稲田大学理工学部電気工学科を卒業後、富士電機株式会社に入社し、1988年からシリコンIGBT、ダイオードならびにSiCデバイスの研究開発、製品化に従事しました。1992年から1993年には米国North Carolina State University, Power Semiconductor Research Center 客員研究員を務め、1998年に早稲田大学で博士（工学）を取得しています。

2009年に(国)産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センターでSiCパワーデバイス量産化技術開発に従事した後、2013年4月より筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授に就任し現在に至ります。専門はシリコンならびにSiCパワーデバイスの設計ならびに評価・解析で、電気学会上級会員、応用物理学会会員、IEEE Senior Memberに所属しています。

書誌情報

• 書名：はじめてのパワー半導体デバイス
• 著者：岩室 憲幸
• 仕様：B5正寸・並製・印刷版モノクロ/電子版カラー・本文196ページ
• 印刷版基準価格：2,800円（税抜）
• 電子版基準価格：2,800円（税抜）
• ISBN（カバー付き単行本）：9784764908048　C3042
• ISBN（POD）：9784764961609　C3042
• 商品URL：https://www.kindaikagaku.co.jp/book_list/detail/9784764961609/

刊行レーベルである「近代科学社Digital」は、株式会社近代科学社が著者とプロジェクト方式で協業する、デジタルを駆使したオンデマンド型の出版レーベルです。

発行元の株式会社近代科学社は、大塚浩昭氏が代表取締役社長を務め、東京都千代田区に本社を置くインプレスグループの企業です。1959年に創立され、数学・数理科学・情報科学・情報工学を基軸とする学術専門書や理工学系の大学向け教科書などの出版事業を展開しています。持株会社である株式会社インプレスホールディングス（本社：東京都千代田区、代表取締役：塚本由紀）を中心とするインプレスグループの一員です。

本記事は株式会社近代科学社の発表をもとに作成しました。

Dellows News編集部

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