神奈川県川崎市に本社を置く株式会社AndTech（代表取締役社長：陶山　正夫）は、研究開発支援向けZoom講座の一環として「酸化ガリウムパワー半導体 最新技術 ～材料育成・欠陥評価・薄膜成長・デバイス開発動向～」を2026年12月3日に開講する。

本講座では、SiCやGaNに続く次々世代パワー半導体として期待される酸化ガリウム（Ga₂O₃）を取り上げ、材料特性や応用領域、内部欠陥の三次元可視化技術、薄膜成長、最新のデバイス研究開発動向について各分野の専門家が解説を行う。

次世代パワー半導体としての酸化ガリウムの重要性

酸化ガリウムは、高性能デバイスの実現に向けて転位などの結晶欠陥の把握が重要視されている。本講座では、非破壊で内部欠陥を立体的に捉える新しい光学イメージング法とX線トポグラフィーの比較、転位形状解析、大口径ウェハ高速検査への展望などが示される。また、β‑Ga₂O₃の材料特性や、MOCVD・HVPE・MBEなどのエピタキシャル薄膜成長技術、MOSFETやSBDといったパワーデバイスの研究開発状況と実用化への課題および展望についても扱われる。

3部構成によるプログラムと講師陣

講義は3部構成で実施され、それぞれの専門分野における研究者が登壇する。

第1部では「次世代パワー半導体酸化ガリウムの欠陥三次元イメージング技術開発」と題し、一般財団法人ファインセラミックスセンター 機能性材料G/特任主幹研究員の石川　由加里　氏が登壇する。位相差顕微鏡による転位観察や三次元イメージング、ウエハ全面検査への展開について解説が行われる。

第2部では「ミストCVDによる酸化ガリウムの結晶多形制御」をテーマに、京都工芸繊維大学 電気電子工学系 / 教授の西中　浩之　氏が登壇する。酸化ガリウムの基礎物性やミストCVD法の原理、β相・α相・κ相・γ相・δ相における結晶多形制御の適用例について講義を行う。

第3部では「酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開」と題し、大阪公立大学 大学院工学研究科 / 教授の東脇　正高　氏が登壇する。Ga₂O₃の物性と材料的特長、エピタキシャル薄膜成長技術、トランジスタおよびショットキーバリアダイオードの研究開発状況と実用化への展望が解説される。

本セミナーの開催概要は以下の通りである。

• テーマ：酸化ガリウムパワー半導体 最新技術 ～材料育成・欠陥評価・薄膜成長・デバイス開発動向～
• 開催日時：2026年12月3日（木）13:00-16:50
• 参加費：60,500円（税込） ※ 電子にて資料配布予定
• WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）
• 詳細URL：https://andtech.co.jp/seminars/1f1be173-bc68-6c6c-ab10-064fb9a95405

株式会社AndTechについて

株式会社AndTechは、化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など幅広い分野のR&Dを担うクライアント向けに研究開発支援サービスを展開している。技術講習会やセミナーの開催をはじめ、講師派遣、出版、コンサルタント派遣、市場動向調査、ビジネスマッチング、事業開発コンサルなどの各種サービスを提供している。

本記事は株式会社AndTechの発表をもとに作成されています。

Dellows News編集部

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