株式会社リードテックと株式会社Next Semiconductorは、GaN（窒化ガリウム）パワー半導体に対応したスイッチング評価装置「ダブルパルステスター」を共同開発した。開発された装置の1号機は国立大学法人大分大学に設置され、研究開発に活用されている。Next Semiconductorは、2026年9月1日から岡山大学で開かれる学会の企業展示にて実機を公開する予定だ。

高出力GaNの測定課題に対応

パワー半導体の素材がシリコンからSiC（炭化ケイ素）やGaNへ移行するなかで、スイッチング速度が向上している。一方で、速度の向上に伴い回路内のインダクタンスやゲート駆動回路の設計が波形に影響を与えるため、装置としての挙動把握にはモジュール実装および駆動回路と組み合わせた状態での測定が求められる。スマートフォンやPC向け充電器などの低出力GaNが実用化されているのに対し、EVや産業システムで求められる650V／300A級の高出力領域では、実装と評価の両面で難しさが残っているという。

共同開発の概要と役割分担

今回開発された装置は、GaNパワーデバイスおよびパワーモジュールのスイッチング特性をダブルパルス法で評価するシステムだ。モジュールと駆動回路を組んだ状態での評価と測定波形の解析に対応する。Next Semiconductorが研究開発の過程で実験室に構築してきた測定環境をもとに製品化された。

両社の役割分担として、リードテックは測定装置の設計、製造、製品化、搬入・立ち上げ、メンテナンスを担当し、ハンドラーと組み合わせた提案も行う。Next Semiconductorは高出力GaN評価の要件定義、モジュールと駆動回路を含む評価条件の設計、実機検証を担う。リードテックの杉浦正幸代表取締役社長は「今後も改良、対象検査の拡大をしていく」とし、Next Semiconductorの松本武弥代表取締役CEOは「同じように課題に取り組んでいる研究室や開発現場に、まずは使っていただきたい」とコメントしている。

今後の展開と展示予定

両社は今後、研究機関をはじめ、パワーデバイス、パワーモジュール、インバータの各メーカーに向けて装置の提案を進めるとともに、高出力GaNパワーモジュールの研究開発を継続するとしている。装置の仕様や提供体制は準備が整い次第案内される。

実機は、2026年9月1日（火）から9月3日（木）まで岡山大学 津島キャンパスで開催される「2026年電気学会産業応用部門大会」の企業展示にて公開される予定だ。

会社概要

• 株式会社リードテック
• 所在地：福島県いわき市中部工業団地4-6
• 代表者：代表取締役社長 杉浦 正幸
• 事業内容：半導体ならびにLCD製造機械設備の設計、製作、販売
• ウェブサイト：https://www.leadtech.jp/
• 株式会社Next Semiconductor
• 所在地：大分県大分市大字旦野原700番地 大分大学研究マネジメント機構棟4階423-1
• 代表者：代表取締役CEO 松本 武弥／代表取締役CTO 大森 雅登
• 事業内容：次世代パワー半導体（GaN・SiC）を用いた技術開発・試作・技術コンサルティング
• ウェブサイト：https://nxtsemi.com/

本記事は株式会社リードテックおよび株式会社Next Semiconductorの発表をもとに作成。

Dellows News編集部

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